Исследователь создал прототип памяти с плотностью 447 Тбайт на 1 см2
Независимый исследователь Илия Толи опубликовал на Zenodo препринт, в котором описал новую технологию энергонезависимой памяти. В основе лежит однослойный флюорографан (CF) — полностью фторированный графен. Каждый атом фтора выступает как переключатель бита. Он может бесконечно долго находиться в одном из двух стабильных состояний относительно углеродного каркаса.
Моделирование показало: переключение требует 4,6–4,8 эВ — это ниже энергии разрушения связи C–F (5,6 эВ). Значит, связь остается стабильной при циклах перезаписи.
На одном квадратном сантиметре плоской структуры можно записать 447 Тбайт данных. Поддержание бита не требует энергии. В объемной конфигурации плотность достигает от 0,4 до 9 зеттабайт на 1 см³. Совокупная пропускная способность контроллера, по расчетам, — до 25 Пбайт/с.
Автор реализовал прототип с одноуровневым подходом на сканирующем зонде. Для многоуровневой архитектуры он разрабатывает беспроводной интерфейс на инфракрасном излучении среднего диапазона в ближнем поле.
Препринт пока не прошел рецензирование. Но технология уже вызвала активное обсуждение на Hacker News, Reddit и других площадках. Дальнейшее развитие зависит от масштабирования производства больших листов флюорографана и интеграции в промышленность.
Читать далее:
Вселенная внутри черной дыры: наблюдения «Уэбба» подтверждают странную гипотезу
Испытания ракеты Starship Илона Маска вновь закончились взрывом в небе
Сразу четыре похожих на Землю планеты нашли у ближайшей одиночной звезды
Обложка: freepik
The post Исследователь создал прототип памяти с плотностью 447 Тбайт на 1 см2 appeared first on Хайтек.

